Технологія виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю (ХНТУ)

1. Загальний опис:
Заголовок:
Технологія виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю
Анотація пропозиції:
Фахівці вищого навчального закладу з Херсонської області (Україна) пропонують 
проект реалізації дослідного виробництва високовольтних діодів зі змінною ємністю,
в якому за рахунок технологічних особливостей можливе поліпшення повторюваності 
ємності діодів зі змінною ємністю шляхом формування меза-структури за допомогою 
процесу анодного окислювання та шукає потенційних інвесторів для організації 
спільного виробництва і впровадження на підприємствах України та за її межами.
Опис пропозиції:
Технологія виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю полягає в 
застосуванні процесу анодного окислювання замість травлення кремнію в 
хімічних розчинах.У запропонованому способі, формування меза – структури 
здійснують шляхом анодного окислювання кремнію в киплячому розчині борної 
кислоти в режимах отримання пористого окислу кремнію. Завдяки даної технології 
відбувається ріст товстих шарів пористого анодного окислу кремнію з 
вертикальними стінками строго по границях вікон, які створюють за допомогою 
фотолітографії, що забезпечує малий розкид площі p-n переходу, а це приводить 
до одержання малого розкиду ємності діодів при заданій напрузі.
Інноваційні аспекти та переваги пропозиції:
Застосування даної технології характеризується простотою виконання, надійністю 
одержання бажаних результатів, що приводить до підвищення виходу придатних 
високовольтних діодів зі змінною ємністю і обумовлює широке промислове 
застосування.
Технологічні ключові слова:
1.1.3. Електронні схеми, компоненти та обладнання;
1.1.4. Електронна техніка;
1.1.15. Напівпровідники.
Додаткова інформація:
Для виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю використовують 
кремнієву одношарову n-n+ структуру з епітаксійним шаром. Після первинної 
хімічної обробки на структуру наносять шар нітриду кремнію і проводять 
першу фотолітографію по нітриду, залишаючи закритими зони під майбутні 
меза-структури. Потім проводять процес анодного окислювання для одержання 
шарів пористого окислу. Після процесу анодного окислення шари пористого 
окислу видаляють для одержання щільного якісного шару термічного 
окислу кремнію, після чого проводять селективне видалення шарів 
нітриду кремнію, що залишилися. Після хімічної обробки проводять 
дифузію бора. Потім проводять видалення шару боросилікатного скла 
та хімічне осадження шару нікелю.
Поточна стадія розвитку:
НДР, лабораторні випробування
Проміжний НДДКР, додаткові дослідження
Права інтелектуальної власності:
Патент отриманий
Коментарі:
Отримано патент на корисну модель. О.М. Фролов, В.В. Шевченко, 
О.М. Філіпщук, С.В. Шутов, О.М. Деменський, О.О. Боскін Спосіб 
виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю. Патент № 102197. 
Україна, МПК (2006.01) H01L 29/93; 21/31; 21/329. – Заявл. 20.03.2015; 
Опубл. 26.10.2015, Бюл. № 20. 

2. Області застосування:
Коди ринкових застосувань:
3.Електронна техніка
Існуючі та потенційні області застосування:
Технологія виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю, яка
запропонована заявником, може бути використана в електроніці
3.Співробітництво:
 1. Ліцензійна угода
 2. Технічна кооперація
Спільна подальша розробка
Випробування нових застосувань
Адаптація до вимог замовника
5. Комерційна угода з технічним сприянням
Розробка і виготовлення на замовлення
Технічне консультування
Коментарі:
Тип шуканого партнера:
промислова організація
Область діяльності партнера:
виробник високовольтних діодів
Задачі партнера:
впровадження у промисловість даної технології
Яким країнам надається перевага: 
Україна, США, Китай, Білорусія, Росія

4. Інформація про вашу організацію:
Вид:
Підприємство
Тип:
Інше: Вищий навчальний заклад при якому виконується науково-дослідна 
робота
Розмір організації (кількість співробітників):
>500

5. Контактна інформація:
Організація:
Херсонський національний технічний університет
Адреса:
Україна, 73008, м. Херсон, Бериславське шосе, 24
Місто/Країна:
Україна
Контактна особа (ПІБ):
Корнєва Алла Олександрівна
Телефон:
(0552) 32-69-07
Факс:
(0552) 32-69-09
E-mail:
korneva.kntu@gmail.com

6. Повноваження
Уповноважена особа:
Савіна Галина Григорівна